处理器之外，你的手机可能要迎来一个足够的升级理由，UFS 4.0闪存它来了。
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5月4日早间消息，三星半导体宣布已经成功开发出业内性能最佳的UFS 4.0（Universal Flash Storage）存储芯片，并且已经通过JEDEC固态存储协会的认证批准。
性能方面，UFS 4.0的每通道带宽速度增至23.2Gbps，是UFS 3.1的两倍。基于三星的第七代V-NAND闪存和自研主控，实测连续读速可达4200MB/s、连续写速可达2800MB/s。
可做对比的是，目前业内性能最好的三星512GB UFS 3.1闪存芯片（2020年3月发布）闪存，标称连续读速最高2100MB/s，写速1200MB/s。这样换算的话，写入提升了1.3倍。
在提速的同时，单位功耗居然还低了。按照三星的说法，每1mA电流可承载6MB/s的读速，比前一代提高46%，这意味着用户可以获得更长的电池续航时间。
另外，UFS 4.0闪存芯片的封装尺寸只有11x13x1mm闪存，最大容量1TB。
据悉，三星UFS 4.0闪存将于今年三季度投入量产，换言之，最快下半年应该就能见到相关手机问世，比如三星自家的Galaxy Z Fold 4、Z Flip 4以及明年的S23系列等。
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